微矽電子（8162）：功率半導體後段測試與製程整合的利基領導者

公司概要與發展歷程

公司基本資料與產業定位

微矽電子股份有限公司（Micro Silicon Electronics Corp.，股票代號 8162）成立於 1987 年 8 月 11 日，總部位於新竹縣竹東鎮沿河街 395 號，2024 年 3 月正式掛牌上市。公司代表人暨總經理為張秉堂，副總經理兼發言人為王志成。實收資本額約 6.87 億元新台幣，資本額約 10 億元新台幣，員工約 600 人，產業別為半導體類 24。

微矽電子定位為半導體後段測試與製程服務專業廠商，深耕產業超過 38 年，以節能為營運核心，專注電源效率利基市場。公司提供晶圓測試、成品測試、晶圓薄化與金屬鍍膜、晶圓切割，以及晶圓級與小量封裝等一站式整合方案，深耕電源管理 IC（Power Management IC，PMIC）、MOSFET 與第三代半導體（GaN、SiC）等功率器件領域，聚焦高效率、節能應用鏈。

發展里程碑

微矽電子的發展歷程展現其技術深化與市場拓展的軌跡：

• 1987 年：公司成立，建置晶圓切割產線。
• 1998 年：建立 BGBM（晶圓背面研磨與背金屬鍍膜）產線。
• 2001 年：切入 MOSFET 測試領域。
• 2003 年：建立晶圓測試與探針 IC 測試線，跨足邏輯領域。
• 2006 年：切入 PMIC 測試，奠定電源管理長期主軸。
• 2014 年：建立 FSM（晶圓正面金屬鍍膜）產線。
• 2016 年：切入 GaN 測試與切割。
• 2018 年：切入 LCD 驅動 IC 測試與 COG 封裝。
• 2019 年：切入 SiC 測試與切割，並導入 WLCSP-DPS 封裝。
• 2023 年：自建探針卡製造產線，整合能力再強化；同年第三季通過國際車用大廠認證，正式跨入車用半導體供應鏈。
• 2024 年 3 月：股票正式掛牌上市。

組織與據點概況

微矽電子擁有兩大生產基地，分工明確並相互支援：

竹東廠（新竹縣竹東鎮）：土地面積 1,629 坪（自有），建物面積 1,000 坪（自有）。核心職能涵蓋晶圓測試、晶圓薄化、切割與成品測試。

竹南廠（苗栗縣竹南鎮）：土地面積 2,434 坪（自有），建物面積 5,768 坪（自有）。主責晶圓薄化、切割與部分測試，並作為新產線擴充重心。

圖(1)營業據點（資料來源：微矽電子公司網站）

產能策略上，竹東廠偏重測試，竹南廠偏重薄化與切割，依市場調度分工互補。竹南廠正持續擴建智能化產線，以對應 GaN、SiC 與高功率 PMIC、MOSFET 的成長需求。

主要業務範疇分析

產品系統與服務體系

微矽電子以一站式整合為價值主張，串接「測試－薄化（金屬）－切割－封裝」的關鍵後段環節，降低客戶流程斷點與時程風險，同時以自製探針卡、測試治具、製程改機能力提升測試良率與效率。

圖(2)主要營業項目（資料來源：微矽電子公司網站）

半導體測試

涵蓋晶圓測試（Probe）與成品測試（FT）。公司自製探針卡與測試治具，聚焦高耐壓、高電流功率測試。主力對象包括 PMIC、MOSFET、GaN、SiC、邏輯及其他 IC。

晶圓薄化與金屬鍍膜

提供 BGBM（背研與背金屬）與 FSM（正面金屬）服務。強項在高可靠薄化與金屬互連，對應功率器件之散熱與導電需求。實績達成 MOSFET 超薄晶圓 38 μm（A4 紙約 100 μm 作為對照）。

封裝服務

提供 WLCSP-DPS、COB、COG 等封裝服務，配合特定應用的小量或工程導入。目標是補齊關鍵節點，維持一站式綜效，而非與大型 OSAT 比規模。

圖(3)產品與製程（資料來源：微矽電子公司網站）

應用領域與目標客群

終端市場類別

產品應用涵蓋快速充電器、家電、筆電、行動裝置、AI 資料中心與伺服器電源、無人機、機器人、車用電子與新能源（OBC、DC-DC、牽引逆變、儲能、充電樁）等領域。

圖(4)關鍵核心技術（資料來源：微矽電子公司網站）

客群特徵

主要客戶為國際功率半導體與 PMIC 大廠，包含 Navitas、Infineon 等；對測試精度、能效與可靠度要求嚴格，偏重歐美與台灣高階市場。

產業鏈定位

位居後段測試與製程整合樞紐，向上銜接晶圓廠（含第三代材料供應），向下協作封裝與模組廠，成為高效率電源與功率鏈的關鍵節點。

技術優勢與研發動能

核心技術堆疊

公司掌握高耐壓高電流晶圓級探針卡與治具自主開發、晶圓薄化與正背面金屬鍍膜的製程整合與載板技術、GaN 與 SiC 晶圓測試方法學、失效機制掌握與量產經驗。

專利、設備與製程整合

具備設備改機能力與軟硬體整合實力，縮短導入時程並降低損耗；自動化與智能化製程控制，穩定良率、縮短 Cycle time、提升產能利用率。

車規與驗證

2023 年通過國際車用大廠認證，切入高可靠與長壽命應用門檻，擴大高附加值市場。

市場與營運分析

產品營收結構與成長重點

以下占比為公司對外揭露的年度結構變化與聚焦重點，具體數字以 2024 年度簡報數據為基準。

半導體測試：占比 71％，年增 4 個百分點，為最大業務；其中 PMIC 測試約占 51％，為長期穩定支柱。

晶圓薄化：占比 22％，受 MOSFET 與高功率需求帶動，薄化與背金屬鍍膜維持剛性需求。

半導體封裝：占比 7％，功能性與策略性強於規模性，定位於補齊一站式鏈結。

PMIC 測試：占比 51％，受 DDR5 與 AI PC 用電管理需求擴大，維持穩定成長。

MOSFET：合計 33％（薄化 22％、測試 11％），高功率與低功耗並行拉動。

第三代半導體：占比 9％，年增 1 個百分點，GaN 在快充後向資料中心、機器人延伸；SiC 小量量產中，車用、儲能為中長期驅動。

區域市場分析與布局

公司未全面公開營收區域占比；依客戶結構推估，歐美與台灣為主要收入來源，其中歐美因高階功率應用比重高而具代表性。中國大陸市場需求偏向成本導向，與微矽定位差異化。公司以高規技術服務與客製化優勢，鞏固歐美與台灣高階市場。

註：上圖為研究性推估，用以呈現策略重點，非公司正式揭露占比。

市場策略

強化歐美高階功率與 AI 伺服器電源生態；台灣深耕 IC 設計與供應鏈樞紐；針對日本與東南亞新能源鏈條逐步擴點。

客戶結構與價值鏈定位

以下以關聯圖呈現公司與產品線、區域與重點客戶構成之關係樣態（示意）。

客戶類別

國際功率半導體與 PMIC 大廠（例：Navitas、Infineon）；系統電源、模組與 AI 伺服器電源鏈供應商；車用電子與新能源應用鏈之 Tier 1 與 Tier 2。

價值鏈角色與創值模式

以高門檻測試與薄化工藝創造代工附加價值；以自製探針卡與製程改機能力降低客戶時間與風險成本；以一站式整合提升交期確定性與量產可靠度。

供應鏈整合度

與上游晶圓材料與晶圓廠維持多供應商策略；下游與封裝廠、模組與系統商協作，提高拉貨與驗證效率；車規導入提升鏈結黏著度。

財務與營運績效

近期營收與獲利表現

2024 年（簡報揭露）

2024 年第三季營收 2.897 億元（年增 23％、季增 22％），毛利率 24％；2024 年第四季營收 2.954 億元（年增 4％、季增 2％），毛利率未揭露；2024 年前三季累計營收 7.687 億元（年增 24％），毛利率 19％，EPS 0.79 元。

2025 年上半年（外部彙整資訊）

累計營收 6.38 億元，年增 33％；第二季營收 3.4 億元，季增 14％、年增 43％；毛利率約 27％，第二季約 31％；產能利用率自 74％升至 79％；上半年營業利益約 7,850 萬元，稅後淨利 6,065 萬元，EPS 0.88 元。

2021～2024 年第一至第三季對比（重點）

2021～2023 年因週期與庫存調整，毛利率自 40％下滑至 14％；2024 年毛利率回升至 19％（前三季），營運轉折已現；2025 年上半年數據續強，顯示產品組合與成本控管成效。

財務觀察與驅動因素

毛利率回升主因

高毛利測試占比提升（PMIC、GaN 與 SiC）；智能化生產導入，良率與 Cycle time 改善；客戶庫存正常化、接單動能回溫。

營運現金與資本配置

近期未見發債、現增或可轉債計畫；擴產以營運現金與內部資源為主，財務結構穩健；2025 年 10 月起可融資融券，市場流動性提升。

產能與製造佈局

生產基地與擴充重點

竹東廠：測試為主，兼具薄化、切割與成測彈性。

竹南廠：薄化、切割與部分測試的量產樞紐，智能化擴產核心。

擴產進度與目標

新增廠房面積約 2,045 坪，規劃新增約 100 組晶圓測試設備；2024 年起分階段投產；2025 年度計畫：BGBM 擴產預計第三季完成；FSM 新製程驗證第四季完成並著手量產；PMIC 與 MOSFET 測試擴產第二季完成部分、第三季完成剩餘。

製造效能與成本控管

自研治具與設備改機縮短導入時程；智能化製程控制提升產能利用率與良率；多供應商策略分散材料風險，GaN 與 SiC 材料成本壓力以製程效率對沖。

競爭態勢與市場地位

主要競爭者樣貌

台灣大型 OSAT：日月光、矽品、華泰、南茂、力成、超豐、京元電、欣銓、台星科等。

競爭差異

大型 OSAT 偏向量產封裝與廣域測試版圖；微矽電子專注功率器件後段測試、薄化與晶圓級金屬，強調高電壓高電流測試能力、超薄化與材料工藝，以「垂直整合的一站式小而專」建立壁壘。

競爭優勢整理

核心技術力：耐高壓高電流探針卡、自研治具與改機能力、38 μm 超薄化量產紀錄。

一站式整合：測試－薄化－金屬－切割－封裝的串接，縮短交期、降低風險。

車規導入：通過國際車廠認證，具備高可靠與嚴格品質體系能力。

聚焦市場：PMIC、MOSFET 與第三代半導體功率應用的利基龍頭。

彈性與速度：工程導入速度快、客製化能力高，貼近歐美高階客戶需求。

近期重大事件與影響

重大事件時間軸與影響評估

2023 年第三季：通過國際車用大廠認證。影響：開啟車用功率器件驗證與量產之門，帶動中長期高毛利曲線。

2024 年 3 月：正式上市。影響：公司治理與透明度提升，資本市場能見度增加。

2024 年下半年～2025 年：竹南廠擴產分階段投產。影響：量能與效率同步提升，對 GaN、SiC、PMIC、MOSFET 的放量支撐加強。

2025 年上半年：營收與毛利率明顯回升。影響：產品組合優化與製程效率改善同步顯現，營運體質強化。

2025 年 10 月起：可融資融券交易。影響：市場流動性改善,投資人結構更均衡。

未來發展策略展望

短期（1～2 年）

營運目標：維持營收成長與毛利率改善，強化現金創造。

產能擴充：完成 BGBM、FSM 與 PMIC、MOSFET 測試擴產節點；提高產能利用率。

研發專案：GaN 高頻高壓測試方法、SiC 車規長時驗證方案、探針卡量產規格升級。

市場拓展：加速 AI 伺服器 800V HVDC 生態鏈驗證、DDR5 與 AI PC 電源管理需求承接。

人才與治理：強化製程與設備工程人才梯隊，持續優化營運指標。

中長期（3～5 年）

策略投資：持續投入第三代半導體量測與金屬工藝；工程導入與量產銜接能力升級。

全球布局：深化歐美關鍵客戶生態，評估亞太供應鏈節點之服務據點合作模式。

產品線發展：提升 GaN 與 SiC 比重，發展高功率、高頻率測試平台，擴展車用與能源存儲。

組織擴張：導入更高自動化比率與數據化決策體系，擴大工程量能。

永續發展：聚焦節能測試與高效率電源應用鏈，結合 ESG 減碳場景，深化外部協作。

產業趨勢與機會、風險提示

結構性機會

AI 與雲端算力升級：資料中心功耗與功率密度提升，帶動 GaN 高效電源解決方案滲透。

AI PC 與 DDR5 普及：帶動 PMIC 用量與規格升級，穩定推進測試需求。

車用與再生能源：SiC 在 OBC、牽引逆變與儲能系統的滲透率上行，帶動高可靠測試與薄化工藝需求。

潛在風險

原材與設備成本波動：矽晶圓、GaN、SiC 等材料仍有供需瓶頸，交期與成本波動需以多供應商與效率管理對沖。

景氣與貿易變數：地緣政治、關稅與技術管制對供應鏈流動性與導入時程可能造成不確定。

同業擴產競爭：大型 OSAT 與區域對手切入功率細分領域，技術差距需以研發深度維持。

綜合投資評估

核心優勢歸納

技術深度與流程整合：以探針卡、薄化與金屬鍍膜為核心工藝，搭配自動化與改機能力，建立測試良率與時程優勢。

應用聚焦：鎖定 PMIC、MOSFET、GaN 與 SiC 功率鏈，搭上 AI、DDR5、車用與儲能長期浪潮。

客戶結構優質：深耕歐美高階市場，導入車規，提升黏著度與單價曲線。

財務體質改善：營收與毛利率回升、產能利用率提升，擴產帶動營運槓桿。

風險與對策

原材價格與交期波動：以多來源策略與製程效率對沖；競爭加劇：持續技術迭代與車規滲透，鞏固高門檻利基；終端需求循環性：以多應用佈局分散波動，強化工程導入速度。

整體觀點：微矽電子以「高門檻功率測試與薄化金屬工藝」與「一站式整合」建立差異化護城河，結合 AI 電源、DDR5、車用與新能源結構性成長，營運拐點已現並延續至 2025 年。中長期投資評價關鍵在於 GaN 與 SiC 比重提升、車規量產曲線與 FSM、BGBM 擴產轉化效率。以現階段資訊評估，屬具備成長彈性與技術溢價的利基型供應商。

重點整理

微矽電子深耕半導體後段測試與製程服務 38 年，以節能為核心，專注電源管理 IC、MOSFET 及第三代半導體（GaN、SiC）領域。公司提供晶圓測試、薄化、金屬鍍膜、切割與封裝的一站式整合服務，建立高門檻技術壁壘。

2024 年營運轉折明確，前三季營收 7.69 億元（年增 24％），毛利率回升至 19％；2025 年上半年營收 6.38 億元（年增 33％），毛利率提升至 27％，產能利用率自 74％升至 79％，顯示產品組合優化與製程效率改善成效。

產品營收結構以半導體測試為主（71％），其中 PMIC 測試占 51％為穩定支柱，MOSFET 薄化與測試合計 33％，第三代半導體測試占 9％且持續成長。應用涵蓋快速充電、AI 資料中心、無人機、機器人、車用電子與再生能源等高成長領域。

公司擁有竹東與竹南兩大生產基地，竹南廠正擴建智能化產線，新增約 2,045 坪廠房與 100 組測試設備，BGBM 擴產預計 2025 年第三季完成，FSM 新製程第四季完成並量產，PMIC 與 MOSFET 測試擴產分階段完成。

技術優勢包括自製探針卡與治具、38 μm 超薄化量產紀錄、設備改機與軟硬體整合能力。2023 年通過國際車用大廠認證，切入高可靠車用半導體市場。競爭對手為日月光、矽品等大型 OSAT，但微矽以垂直整合的一站式小而專策略建立差異化優勢。

未來成長驅動包括 AI 伺服器 800V HVDC 架構、DDR5 與 AI PC 電源管理、車用與再生能源 SiC 應用。公司持續投入 GaN 與 SiC 研發，強化車規量產能力，深化歐美高階市場布局。

風險因素包括原材料價格波動、地緣政治與貿易變數、同業擴產競爭。公司以多供應商策略、製程效率提升、技術迭代與多應用佈局對應風險。

整體評估，微矽電子以技術深度、一站式整合與聚焦利基市場建立護城河，搭上 AI、車用與新能源長期趨勢，營運拐點延續，屬具備成長彈性與技術溢價的利基型供應商。

參考資料說明

公司官方文件

1. 微矽電子2025 年 1 月 13 日法人說明會簡報。內容涵蓋公司簡介、發展歷程、產線配置、產品與服務體系、2024 年營運數據、2025 年展望與擴產進度。作為本文關於業務結構、產能規劃與財務對照之主要依據。

2. 微矽電子 2024 年度公開財報與公告資料。提供營收、毛利率、費用與 EPS 等關鍵財務指標，用於年度與季度比較。

3. 臺灣證券交易所上市資訊與公司基本資料頁。作為掛牌資訊、產業別與基本資料之交叉驗證來源。

研究報告與市場評論

1. 產業研究與法人評論（2024～2025 年）。聚焦微矽電子在 PMIC、MOSFET 與第三代半導體的測試與薄化定位，並對 2025 年擴產、毛利率改善與市場需求給予正向觀點。

2. 投資研究平臺與專欄彙整（2024～2025 年）。彙整公司營收走勢、月營收公告、產能利用率與應用市場變化，佐證本文對營運拐點與成長驅動的描述。

新聞報導

1. 產經媒體針對微矽電子擴產、GaN 與 SiC 測試需求、AI 伺服器 800V HVDC 架構與 DDR5 驅動等主題之報導（2024～2025 年）。用於應用端需求脈絡與趨勢之補充。

2. 公司公告之月營收與重要訊息（2025 年上半年～第三季）。作為短期成長數據與毛利率趨勢參考。

永續與政策文件

1. 能源轉型與節能政策趨勢文件。用於闡述功率半導體在節能減碳趨勢下的中長期需求背景。

註：參考資料均以 2024～2025 年公開資訊為主，部分區域占比圖為研究性推估，僅作策略重點呈現之用；本文不附原始連結，以避免連結失效影響可讀性與完整性。