天虹科技（6937）：從零組件到先進製程設備的國產化加速者

公司概要與發展歷程

天虹科技股份有限公司（Skytech Technology Co., Ltd.）成立於 2002 年 7 月 17 日，總部位於新竹縣竹北市，為台灣本土半導體前段製程設備與零組件供應商。公司於 2023 年 1 月 6 日登錄興櫃，同年 12 月 12 日正式上市，股票代號 6937。董事長兼總經理為黃見駱（Paul Huang），集團執行長易錦良（George Yi）具美商應用材料（Applied Materials，簡稱 AMAT）全球副總裁資歷，經營團隊兼具國際大廠實務與在地供應鏈整合經驗。公司員工規模約 394 人，實收資本額約新台幣 6.75 億元。

天虹最早專注半導體設備零組件（含陶瓷、石英、金屬、工程塑膠、波紋管、氣體均流器等）之研發與製造，累積超過 2,000 項零備件設計能力，產品涵蓋薄膜、蝕刻、擴散、研磨、量測與黃光等製程之耗材體系。2017 年起，公司啟動自有品牌前段製程設備開發，陸續推出物理氣相沉積（PVD）、原子層沉積（ALD）、鍵合／解鍵合（Bonder／De-bonder）、去殘膠（Descum）、電漿拋光（Plasma Polish）與低介電常數電漿化學氣相沉積（PECVD）等機台，切入先進製程、先進封裝與第三代半導體應用，並啟動 EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光）光罩保護層量測設備研發與客戶驗證。

天虹定位於高真空電漿與晶圓薄化解決方案供應商，以「速度、容錯（不重複犯錯）、服務、合作、分享」為執行策略，願景為「國際化、多產品的先進半導體設備與服務方案提供者」。公司強化研發平台與在地供應鏈整合，推動設備國產化，逐步擴大在台、陸與歐洲市場之滲透。

發展里程碑

天虹發展歷程可劃分為四個階段：

草創期（2002－2017）：公司創立，深耕零備件與耗材供應，建立完整零組件設計與製造能力，累積超過 2,000 項零備件產品線，涵蓋薄膜、蝕刻、擴散、研磨、量測與黃光等製程耗材。

轉型期（2017－2021）：啟動整機設備研發，建立前段設備平台。2018 年推出 PVD、ALD、Auto Bonder／De-bonder 等產品問市；自製 Skiwar／EFEM；打入前段供應鏈與蘋果相關體系，導入碳薄膜（Carbon PVD）、Lift-off PVD 與 ITO PVD 等應用。

擴張期（2022－2023）：Powder ALD、PEALD、PECVD 量產路線擴充；2023 年第四季正式上市。

深化期（2024 年迄今）：併購技術資產（E project M&A）擴充 EUV 量測相關能力，設備業務打入美、日、東南亞與第三代半導體領域；Yole Développement 報告將天虹列入全球 ALD 主流供應商版圖。2025 年 EUV 光罩保護量測設備二代機組裝規劃、PLP（Panel Level Packaging，面板級封裝）310 × 310 mm 設備動態展示，Panel PVD 年底送客戶；法人說明會揭示先進封裝設備進入收割期。2026 年（規劃）EUV 二代機 1Q26 客戶驗證，EUV 相關設備與先進封裝設備進入放量階段。

組織規模與據點布局

公司在台灣設有湖口研發／製造中心與竹北新廠（2025 年 10 月啟用），另於新竹、新埔歷史廠舍、台南設有服務據點；中國大陸於廈門具備零組件製造與部分設備組裝能力，形成雙地供應網。湖口廠配置百級、千級、萬級無塵室，作為 PVD／ALD／Descum 等設備組裝、測試與客戶 Demo 的核心基地。湖口三樓無塵室於 2024 年底啟用，設置多條生產線與百級實驗區，以支援先進製程驗證。竹北新廠聚焦先進封裝與 EUV 新產品量產，搭配未來南台灣據點評估，建立南北雙核心之彈性產能。

主要業務範疇與產品系統

產品線與系統定位

天虹產品線涵蓋三大核心系統：

傳動系統（PVD）：NEXDA 系列由標準版（STD）至高階梯覆蓋（HSC／UHSC），覆蓋 3D Package、IGBT／MOSFET、AlN buffer、金凸塊（Gold bump）、Carbon PVD、Lift-off PVD，以及 Panel PVD 與雙面鍍膜等高深寬比應用。

線性運動系統（ALD）：Atomila／Aomila 平台涵蓋 SiO2、ZrO2、HfO2、TiN、Al2O3 等多材料路線，具備 t-ALD、PEALD、低溫 PEALD 能力，並朝 Cl-base ALD 與新材料延伸，對應 2 nm 以下、薄膜均勻性與界面品質嚴苛場景。

工業機器人系統（Bonder／De-bonder）：支援 4″／6″／8″ 至 12″ 晶圓，目標高翹曲晶圓處理、高精度 D2W（Die to Wafer）與 W2W（Wafer to Wafer）鍵合、Hybrid／Solder／Permanent bond 與先進封裝製程（含背面供電與極薄晶圓）。

圖(1)產品及服務項目（資料來源：天虹科技公司網站）

此外，公司亦推出 Descum／Plasma Polish 設備，聚焦 3D IC、ABF 材料乾蝕刻、LTHC、SiC 電漿拋光與 Dry etching，導入窄體 Load-lock 與 EFEM 整合；中期藍圖延伸至 ALE（Atomic Layer Etching）低損傷製程。PECVD 產品線則提供低介電常數（Low-k，BN／SiOCH）與保護層應用，補齊前端薄膜堆疊策略。

圖(2)公司製程設備（資料來源：天虹科技公司網站）

圖(3)歷年產品線（資料來源：天虹科技公司網站）

應用領域與解決方案

天虹產品應用領域涵蓋：

矽基先進製程：薄膜沉積（PVD／ALD／PECVD）、前後段整合之鍵合、去殘膠與預處理。

先進封裝（CoWoS／PLP／FOPLP／CPO）：大型基板（310 × 310 mm）與高精度鍵合、薄化製程整合。

第三代半導體（SiC／GaN）：功率元件薄膜與電漿拋光、異質材料介面工程。

光電／Micro LED：保護層、封裝與大面積均勻沉積。

EUV 關聯：光罩保護層材料量測與後續鍍膜、檢測技術串接。

天虹產品主張在於模組化、客製化與在地服務速度，結合零備件自製率與腔體／EFEM 系統整合經驗，以「製程驗證＋機構優化＋韌體控制」三軸並進方式，提升良率與降低 CoO（Cost of Ownership）。

營收結構與財務績效

產品營收結構與動能

2023 年設備占比約 42％、零組件約 58％；公司於 2024－2025 年持續導入新機種並擴大交付，設備占比預期超越零組件，並朝「設備與 Spares 營收各半」的穩態結構推進。PVD 為現階段主力，管理層於 2025 年法說會指引 PVD 占設備營收比重可達逾 70％；ALD 占比提升至約 25％；Bonder／De-bonder、Descum、PECVD 與其他機種提供增量選項，待先進封裝與 EUV 產品放量後占比續升。

區域營收分布與趨勢

中國市場：第三代半導體與在地擴產帶動，設備需求逐步回升，但價格競爭加劇；公司以技術差異化與在地服務維持出貨。

台灣市場：先進製程與先進封裝投資延續，前段沉積與封裝鍵合需求穩固，屬高端設備驗證核心市場。

歐洲與新興市場：2024 年後開始切入，配合 EUV 與先進封裝議題逐步擴張。

近年營運與財務摘要

2024 年全年營收約新台幣 25.88 億元，年增約 29.9％；12 月單月 7.76 億元，改寫歷史新高；第 4 季合併營收 10.19 億元，季增 80.7％、年增 55.5％。2025 年上半年合併營收約 9.73 億元，年減約 3.17％；稅後淨利約 0.68 億元，年減約 61.8％，主因淡季與匯損；毛利率維持約 39％－42％，營業利益率約 6％。下半年隨旺季與新廠啟用，營運動能回升。

資本政策方面，公司偏向營運現金流與銀行資源支應擴產與研發，近期未見發債、現增或可轉債規劃；持續配息，財務結構維持穩健。

客戶結構與價值鏈定位

客戶類別涵蓋晶圓代工、記憶體、先進封裝（OSAT）與第三代半導體廠。最大單一客戶為台灣先進製程大廠（單一客戶約占營收 20％ 左右），另含聯電、華潤微等體系；歐洲客戶導入中。合作特徵以付費驗證、重複訂單與專案共研為主，設備導入週期長但黏著度高；零組件／備品業務維持穩定現金流。

天虹自建研發平台與系統整合能力，結合在地供應鏈（超過 70％ 在地化），提升交付速度與成本結構，強化議價能力與替代性。

生產基地與產能配置

湖口廠：核心製造與研發中心，千級／萬級主要量產、百級專攻高端製程實驗；三樓無塵室擴建完成後，整體產能可望翻倍。

竹北新廠：2025 年 10 月啟用，承接先進封裝（PLP／CPO）與 EUV 量測設備之生產與驗證，支援快速放量。

廈門據點：零組件製造與部分設備組裝，形成雙地供應體系，強化供應鏈韌性。

圖(4)生產據點（資料來源：天虹科技公司網站）

生產效率提升靠攏數位化、流程標準化與模組化設計；隨產能利用率提升，單位成本遞減，配合多元採購與長協，對沖原物料與關鍵模組（真空泵、機械手臂、EFEM）價格與交期波動。

圖(5)新竹湖口廠研發中心（資料來源：天虹科技公司網站）

圖(6)新竹湖口廠 1F 無塵室（資料來源：天虹科技公司網站）

市場地位與競爭態勢

國際同業對標：PVD／ALD 對應 AMAT、TEL（Tokyo Electron）、Lam、ASM International、Veeco 等；鍵合對應 EV Group、ASMPT 與台灣本土廠；量測／EUV 領域對標少數美日專業供應商。

本土優勢：在地客製、快速維修、整合零備件自製率，提高 TTM（Time-to-Market）與可用率；在第三代半導體與先進封裝新藍海建立切入點。

市占動態：台灣前段設備國產化區塊市占率逐年提升（部分領域 20％－30％ 區間），第三代半導體相關設備比重提升；歐洲市場起步擴張。

近期重大事件與時間軸

2024 年：年營收創新高，歐美與東南亞專案導入；永續報告與研發專利件數累積 359 件（核准），申請合計 522 件（統計至 2024／Q3）。

2025／H1：受匯率與淡季影響，獲利短壓；法人說明會揭示 PVD 主導成長、ALD 增長、Bonder 年底交付 12 吋機；Panel PVD 年底送樣；EUV 二代機光源升級至 200 W，4Q25 組裝、1Q26 驗證。

2025／Q3：310 × 310 mm PLP 動態展示，OSAT 與歐洲訂單交流增加；湖口 4F 研發中心擴充、專利累積 392 件（法說會口徑）。

2025／10：竹北新廠啟用，產能提升約 1.5－2 倍，配合下半年旺季與 2026 年新產品放量。

事件影響評估：EUV 與 PLP 進度為 2026 年成長關鍵槓桿；SiC 客戶在陸資市場競爭激化與交機延後壓抑短期動能，但 GaN、Micro LED 與 OSAT 需求成為替代成長引擎。公司以多產品、多市場對沖區域與產品波動。

技術優勢與研發藍圖

PVD：高深寬比與雙面鍍膜能力，從 HSC 走向 UHSC；延伸 Panel PVD 與 TGV（Through Glass Via）應用，配合 ICP＋等電漿強化方案。

圖(7)PVD（資料來源：天虹科技公司網站）

ALD：多材料堆疊與低溫 PEALD，補強光罩鍍膜、Micro LED 與先進封裝保護層，布局 Cl-base ALD 與新材料。

圖(8)ALD（資料來源：天虹科技公司網站）

鍵合：面向高精密 D2W／W2W 與高翹曲晶圓處理，支援 Hybrid／Permanent bond 與背面供電技術需求。

Descum／ALE：導入 ALE 以低損傷對應 p-GaN HEMT、SiC 表面工程，強化 3D IC 之製程邊界處理。

圖(9)Descum（資料來源：天虹科技公司網站）

EUV：HHG 潔淨光源量測平台原型已完成客戶測試，二代機提升光源功率至 200 W，朝量產規格邁進，2026 年驗證與放量為核心里程碑。

研發能量：公司維持研發費用占比約 15％ 的方向性目標，專利布局跨台、美、中、新等法域，持續擴充材料科學、電漿源設計、機構動控與演算法控制等跨域能力。

圖(10)核心競爭力與研發藍圖（資料來源：天虹科技公司網站）

圖(11)國內外專利件數統計（資料來源：天虹科技公司網站）

區域市場與競爭策略

市場佈局策略：

台灣：先進製程與先進封裝示範市場，導入新機種、建立標竿客戶口碑。

中國：第三代半導體與本土化拉動需求，強化在地供應與售服，穩住價格競爭帶來的壓力。

歐洲：EUV 鏈結與高值化沉積、量測導入，逐步擴大出海口。

東南亞：以新加坡為樞紐，配合客戶海外產線布局。

競爭持續性：以在地化供應＋客製化速度＋整機與零件整合優勢為核心，延伸與客戶共研（JV-like）模式，強化鎖定。

風險與因應

匯率波動：加強自然避險與合約條款設計，降低 EPS 波動。

供應鏈瓶頸：多元供應商與長協策略、提升自製率、關鍵模組安全庫存。

區域政策與地緣風險：多地生產與銷售佈局，分散單一市場曝險。

市場競爭：以技術節點升級（UHSC、ALE、低溫 PEALD、EUV）與服務速度維持差異化。

單一客戶集中：擴充 OSAT／歐洲客戶占比，拉高設備品項占比以分散營收結構。

未來發展策略與展望

短期（1－2 年）

營運目標：2025 年設備占比持續提升，PVD／ALD 穩定出貨，Bonder 12 吋機交付，Descum／Plasma Polish 切入 3DIC 與 SiC 應用；Spare 保持年增 5－10％ 範圍上緣。

產能擴充：竹北新廠投產、湖口三樓無塵室滿載爬升，整體產能提升 1.5－2 倍。

研發專案：EUV 二代機 4Q25 組裝、1Q26 驗證；Panel PVD 年底送樣；PLP 310 × 310 mm 設備導入 OSAT。

市場拓展：台灣與中國維持雙引擎；歐洲專案接軌 EUV／先進封裝鏈；新加坡做為東南亞前哨。

中長期（3－5 年）

策略投資：持續加碼 EUV 量測與鍍膜鏈結、先進封裝（PLP／CPO）設備族群，擴充關聯模組自製能力。

技術路徑：PVD 走向 UHSC 與 TGV、ALD 多材料與低溫極限、Bonder 朝高精度 D2W／W2W 與極薄晶圓標準化、Descum／ALE 低損傷材料處理平台化。

全球化：深化台、陸雙樞紐，建立歐洲服務節點；以在地化供應＋國際客製聯動形成規模經濟。

永續與人才：研發占比維持高檔，材料與電漿跨域人才引進；供應鏈 ESG 管治與碳資料盤點，提升歐盟市場合規能力。

重點整理

成長曲軌清晰：設備占比抬升，PVD／ALD 驅動當期營收；Bonder／PLP 與 EUV 為 2026 年後關鍵加速器。

議價與替代價值：在地化供應、零組件自製率與模組化設計強化 CoO 優勢，於國產化趨勢中具策略位置。

技術槓桿：UHSC、低溫 PEALD、ALE 與 EUV 量測切入高門檻賽道，拉開與一般國產替代的差距。

風險控管：以多產品、多市場對沖週期與區域波動；短期匯率與個別區塊（SiC）競爭壓力仍需關注。

綜合判斷：中長線具備「量與值」雙軌成長條件，受惠先進製程、先進封裝與供應鏈在地化，投資評價偏正向。

參考資料說明

公司官方文件

1. 天虹科技 2025 年第三季法人說明會簡報（2025.09.03）。本文核心引用公司對產品藍圖（PVD／ALD／Bonder／Descum／PECVD）、EUV 二代機時程、PLP 310 × 310 mm 展示、產能擴充（湖口／竹北）與市場展望之揭露，用以建構技術與營運推進軸線。

2. 天虹科技 2024 年度永續報告書與年報（2025.03、2024.12）。引用公司專利統計、研發與據點資訊、無塵室配置與人才佈局，以及在地化供應鏈策略，用於產能與研發能量描述。

3. 天虹科技上市前業績發表會公司簡報與歷次公告。援引公司沿革、資本額、員工規模、產品系統、主要市場與客戶架構，作為公司基本資料之依據。

研究報告

1. 產業機構與券商產業研究（2024－2025）。參考對天虹在先進封裝、第三代半導體與 EUV 量測設備的技術定位、產品時程、營收結構變化與風險因子評估，作為趨勢判讀與情境推演之輔助。

2. Yole Développement ALD 市場研究（2024）。援引天虹納入全球 ALD 供應商版圖之資訊，支撐技術能見度與市場認知度之陳述。

新聞報導

1. 經濟媒體報導（2024.12－2025.10）。引用 2024 年營收新高、2025 年上半年淡季與匯損影響、下半年營運回升、股價與法人評價、OSAT 與歐洲市場拓展、Panel PVD 與 PLP 動態展示、EUV 二代機時程與光源升級等資訊，補強時間序列與市場互動脈絡。

2. 半導體展會與投資論壇資訊（2025.09）。援引公司於台灣半導體展之新品動態展示與法人互動重點，補充設備導入節點與市場反應。

永續發展文件

1. 公司永續發展文件與相關審核說明（2024－2025）。引用公司在供應鏈在地化、能資源效率與產品生命週期導入的方向，作為 ESG 與歐盟市場合規能力的輔助描述。

註：本文根據 2024 年至 2025 年間公司公開資訊、研究報告與主流財經媒體之時間序列資料進行交叉整理。涉及財務或占比之百分數與時程，若屬公司對外交流口徑或方向性預期，本文均以「方向性」註記並避免超出原始資訊語意範圍之推估，並保留最新時點之資訊、刪除過時重複敘述，以維持時效與一致性。